

更新时间:2026-05-27
浏览次数:11主要的半导体制造工艺包括光罩生产,作为印刷基底;晶圆制造,作为半导体的基础;前期工艺,利用光罩在晶圆上形成细小电路结构;以及半导体芯片在电路形成后单独封装的后工艺。仔细观察,这类步骤有数百个。
近年来的半导体微制造技术已达到数纳米级(约为人发厚度的万分之一),晶圆直径变得更大,使得从单片晶圆中生产出包含数十亿晶体管的数千个半导体芯片。
在如此高生产力的半导体制造过程中,检测设备极为重要,能够实现早期缺陷产品分选、降低成本以及提升质量和可靠性。 在选择半导体目视检测设备时,必须考虑晶圆直径、所用工艺以及需要检测的缺陷类型。
半导体目视检测设备被用于半导体制造工艺的各个阶段。
使用半导体目视检测设备检测到的缺陷包括光罩和晶圆的变形或裂纹、划痕、异物粘附、前一工艺中电路图案错位、尺寸缺陷以及后期封装缺陷等。
因此,必须为每个工艺选择合适的半导体视觉检测设备和软件,并推动利用人工智能及其他工具实现自动化,以加快并减少劳动力。
半导体目视检测设备由测量设备、处理测量数据的软件以及用于适当测量的设备组成。
测量设备包括高分辨率相机、电子显微镜和激光测量设备。 处理测量数据的软件会根据检测流程开发算法。 为确保测量准确,还需要抑制振动设备和安装灯具。 以下我们将解释半导体目视检测设备的核心成像技术、图像处理技术和缺陷分类技术。
图像成像技术
:成像技术是一种将激光光照射到晶圆上,并通过检测散射光来测量缺陷的技术。 通过照亮微小的不均匀,它能检测异物和损伤。
图像处理技术
成像技术利用晶圆上所有芯片形成的图案全部相同的事实,使相邻图案能够进行比较以检测缺陷。 它支持高速、广域处理。
缺陷分类技术
缺陷分类技术是一种在检测到缺陷后,对其进行分类和分类以提取原因的技术。 这些都是识别和解决缺陷原因的必要技术。
晶圆通过将半导体原料(如硅)成型为称为锭的圆柱形单晶材料,切成约1毫米厚的块,再抛光表面制成。近年来,晶圆直径已达到12英寸(约30厘米)。
晶圆缺陷不仅包括附着的异物,还包括表面划痕、裂纹、工艺不规则以及晶圆本身的晶体缺陷。晶圆制造过程中的目视检查主要通过激光照射检测这些缺陷。
预处理在晶圆状态下进行,主要有两种缺陷:随机缺陷和系统缺陷。 随机缺陷主要由异物污染引起,但由于它们是随机的,其位置不可预测。 因此,晶圆上的随机缺陷可以通过图像处理被检测出来。 另一方面,系统性缺陷由光掩膜或曝光过程条件引起,如颗粒附着在光罩上,且通常出现在晶圆上对齐的每个半导体芯片的相同位置。
在最终工艺中,晶圆被切割成每片芯片(切丁),储存在树脂或陶瓷封装中,芯片与封装侧的端子连接(线键合)以密封。 后续工艺中,电气检查是主要重点,但目视检查包括线粘缺陷和零件编号印刷缺陷。
通常,制造过程中的目视检查通常旨在检查污垢或划痕,有时与产品功能或性能无关。然而,半导体制造中的污垢和划痕不仅仅是表面问题;几乎所有情况下,它们都会影响功能和性能。
半导体是电子器件,和其他电气和电子设备一样,会接受电气检测,但要检查数十亿个晶体管及其连接的所有线路极其困难;晶体管栅极和线路中的细线只能通过目视检查确认。
在微观层面的半导体工艺中,如几纳米,单根导线的厚度与相邻导线之间的间距仅有几纳米。
如果这里的纳米阶存在缺陷,可能会导致线路短路或断路。 此外,即使由于这种1/10尺寸缺陷,线宽达到设计厚度的90%,线路的电阻和电容也会发生变化。 当电流通过这些导线时,会发生电迁移,电子移动金属原子,导线迅速变薄,短时间内导致断裂。
因此,半导体制造对极其精细的目视检测要求尤其高,随着微制造技术的发展,精度要求将持续提高。
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