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更新时间：2025-12-30 
浏览次数：17光掩模是一种用于在半导体和液晶显示器制造过程中将精细电路图案转移到基板上的母版。
根据制造工艺的不同，光学/深紫外光刻采用透射式掩模，极紫外光刻采用反射式掩模。深紫外光刻掩模由石英玻璃基板和铬膜构成，而极紫外光刻掩模则由超平坦硅基板和多层反射及吸收层构成。通过曝光工具用光照射掩模，即可将电路图案精确地转移到光刻胶薄膜上。
随着半导体器件尺寸的不断缩小，光掩模发挥着极其重要的作用。极紫外（EUV）曝光掩模是 半导体工艺的主流选择，这些工艺对缺陷控制和薄膜厚度均匀性要求 高。然而，在10nm工艺级别之前，深紫外（DUV）曝光掩模也得到广泛应用。
光掩模广泛应用于需要精细图案的行业。典型应用如下所示。
集成电路、存储器和处理器的制造需要多层结构，每一层都使用专用的光掩模形成。高精度掩模的使用确保了线宽的均匀性和对准精度，从而实现了 器件的大规模生产。
光掩模用于形成液晶面板和OLED显示器的像素结构。高分辨率显示器需要精细、均匀的图案，而掩模的质量直接关系到图像质量和使用寿命。能够在大尺寸基板上使用的光掩模在显示器行业中不可缺。
诸如加速度传感器和压力传感器之类的微机电系统（MEMS）器件需要在硅衬底上形成微小结构。结合光刻和蚀刻工艺，可以利用光掩模技术高精度地制造出微小而复杂的三维结构。
在硅基和薄膜太阳能电池的制造过程中，光掩模用于形成电极图案。均匀的图案形成能够提高发电效率，并提升电池的长期可靠性。高精度掩模对于高效电池的开发尤为重要。
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